Mua IRFSL17N20D với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-262 |
Loạt: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 170 mOhm @ 9.8A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 3.8W (Ta), 140W (Tc) |
Bao bì: | Tube |
Gói / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vài cái tên khác: | *IRFSL17N20D |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
gắn Loại: | Through Hole |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
Số phần của nhà sản xuất: | IRFSL17N20D |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 25V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 200V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262 |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 200V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |