IRFSL23N20D
IRFSL23N20D
Số Phần:
IRFSL23N20D
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
19225 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFSL23N20D.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFSL23N20D, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFSL23N20D qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFSL23N20D với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-262
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 14A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.8W (Ta), 170W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vài cái tên khác:*IRFSL23N20D
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRFSL23N20D
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1960pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:86nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 200V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262
Xả để nguồn điện áp (Vdss):200V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận