IRFU220PBF
IRFU220PBF
Số Phần:
IRFU220PBF
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18018 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFU220PBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFU220PBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFU220PBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFU220PBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-251AA
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:800 mOhm @ 2.9A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.5W (Ta), 42W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vài cái tên khác:*IRFU220PBF
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRFU220PBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:260pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 200V 4.8A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):200V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận