IRLHM630TRPBF
IRLHM630TRPBF
Số Phần:
IRLHM630TRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17768 Pieces
Bảng dữliệu:
IRLHM630TRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRLHM630TRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRLHM630TRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRLHM630TRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1.1V @ 50µA
Vgs (Tối đa):±12V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PQFN (3x3)
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):2.7W (Ta), 37W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-VQFN Exposed Pad
Vài cái tên khác:IRLHM630TRPBF-ND
IRLHM630TRPBFTR
SP001568974
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRLHM630TRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3170pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:62nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:21A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận