IRLL110TRPBF
IRLL110TRPBF
Số Phần:
IRLL110TRPBF
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15076 Pieces
Bảng dữliệu:
IRLL110TRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRLL110TRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRLL110TRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRLL110TRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±10V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-223
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:540 mOhm @ 900mA, 5V
Điện cực phân tán (Max):2W (Ta), 3.1W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-261-4, TO-261AA
Vài cái tên khác:IRLL110PBFTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:13 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRLL110TRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:6.1nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4V, 5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận