IRLR3717TRRPBF
Số Phần:
IRLR3717TRRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17802 Pieces
Bảng dữliệu:
IRLR3717TRRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRLR3717TRRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRLR3717TRRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRLR3717TRRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.45V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-Pak
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:4 mOhm @ 15A, 10V
Điện cực phân tán (Max):89W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:SP001569116
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRLR3717TRRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2830pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 20V 120A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận