IXD611S1T/R
Số Phần:
IXD611S1T/R
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17932 Pieces
Bảng dữliệu:
IXD611S1T/R.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXD611S1T/R, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXD611S1T/R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXD611S1T/R với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Cung cấp:10 V ~ 35 V
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SOIC
Loạt:-
Tăng / giảm thời gian (Typ):28ns, 18ns
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tần số vào:2
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IXD611S1T/R
Điện thế logic - VIL, VIH:2.4V, 2.7V
Kiểu đầu vào:Non-Inverting
Cao Side Voltage - Max (Bootstrap):600V
Loại cổng:IGBT, N-Channel MOSFET
Mô tả mở rộng:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
Cấu hình Driven:Half-Bridge
Sự miêu tả:IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC
Hiện tại - Peak Output (Nguồn, Sink):600mA, 600mA
Base-Emitter Saturation Voltage (Max):Independent
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận