Mua IXDN430CI với BYCHPS
Mua với đảm bảo
IXDN430CI
- Số Phần:
- IXDN430CI
- nhà chế tạo:
- IXYS Corporation
- Sự miêu tả:
- IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 19334 Pieces
- Bảng dữliệu:
- IXDN430CI.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho IXDN430CI, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXDN430CI qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Voltage - Cung cấp: | 8.5 V ~ 35 V |
|---|---|
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-220-5 |
| Loạt: | - |
| Tăng / giảm thời gian (Typ): | 18ns, 16ns |
| Bao bì: | Tube |
| Gói / Case: | TO-220-5 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tần số vào: | 1 |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Số phần của nhà sản xuất: | IXDN430CI |
| Điện thế logic - VIL, VIH: | 0.8V, 3.5V |
| Kiểu đầu vào: | Non-Inverting |
| Loại cổng: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Mô tả mở rộng: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting TO-220-5 |
| Cấu hình Driven: | Low-Side |
| Sự miêu tả: | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 |
| Hiện tại - Peak Output (Nguồn, Sink): | 30A, 30A |
| Base-Emitter Saturation Voltage (Max): | Single |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho IXDN430CI
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
IXDN430MYI | IXYS | IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263 | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN430YI | IXYS | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN409SIA | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN414SI | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A14SOIC | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN414PI | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 8-DIP | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN430MCI | IXYS | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN414YI | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 5-TO-263 | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN409CI | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5 | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN409YI | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5 | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN404SI | IXYS | IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN402SI | IXYS | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN409PI | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN402SIA | IXYS | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN402PI | IXYS | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN409SI | IXYS | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC | Tin nhắn của bạn |
|
IXDN404SIA | IXYS | IC DUAL GATE DRIVER 4A 8 SOIC | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers