IXEN60N120D1 - IXYS - Transitor - IGBTs - Các mô-đun IXEN60N120D1

IXEN60N120D1

Số Phần:: IXEN60N120D1

nhà chế tạo:: IXYS Corporation

Sự miêu tả:: IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 14860 Pieces

Bảng dữliệu:: IXEN60N120D1.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXEN60N120D1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXEN60N120D1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua IXEN60N120D1 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	1200V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:	2.7V @ 15V, 60A
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SOT-227B
Loạt:	-
Power - Max:	445W
Gói / Case:	SOT-227-4, miniBLOC
Nhiệt độ hoạt động:	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:	No
gắn Loại:	Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	IXEN60N120D1
Input Điện dung (Cies) @ VCE:	3.8nF @ 25V
Đầu vào:	Standard
Loại IGBT:	NPT
Mô tả mở rộng:	IGBT Module NPT Single 1200V 100A 445W Chassis Mount SOT-227B
Sự miêu tả:	IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	800µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100A
Cấu hình:	Single
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho IXEN60N120D1

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
IXEN60N120	IXYS	IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B	Tin nhắn của bạn
CPV364M4U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2	Tin nhắn của bạn
IXA220I650NA	IXYS	IGBT MODULE 650V SOT227	Tin nhắn của bạn
VS-50MT060WHTAPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 114A 658W MTP	Tin nhắn của bạn
VDI160-12P1	IXYS	MOD IGBT BUCK 1200V ECO-PAC2	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức