IXFA4N100Q
IXFA4N100Q
Số Phần:
IXFA4N100Q
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16157 Pieces
Bảng dữliệu:
IXFA4N100Q.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXFA4N100Q, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXFA4N100Q qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXFA4N100Q với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1.5mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-263 (IXFA)
Loạt:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:3 Ohm @ 2A, 10V
Điện cực phân tán (Max):150W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IXFA4N100Q
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1000V (1kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận