IXFE23N100
IXFE23N100
Số Phần:
IXFE23N100
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18337 Pieces
Bảng dữliệu:
IXFE23N100.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXFE23N100, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXFE23N100 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXFE23N100 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-227B
Loạt:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:430 mOhm @ 11.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):500W (Tc)
Bao bì:Bulk
Gói / Case:SOT-227-4, miniBLOC
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IXFE23N100
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:7000pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:250nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1000V (1kV) 21A 500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1000V (1kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:21A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận