IXFH22N55
IXFH22N55
Số Phần:
IXFH22N55
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14654 Pieces
Bảng dữliệu:
IXFH22N55.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXFH22N55, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXFH22N55 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXFH22N55 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247AD (IXFH)
Loạt:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:270 mOhm @ 11A, 10V
Điện cực phân tán (Max):300W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Số phần của nhà sản xuất:IXFH22N55
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4200pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 550V 22A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):550V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận