IXFP6N120P
IXFP6N120P
Số Phần:
IXFP6N120P
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16016 Pieces
Bảng dữliệu:
IXFP6N120P.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXFP6N120P, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXFP6N120P qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXFP6N120P với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220AB
Loạt:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):250W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IXFP6N120P
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2830pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:92nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1200V (1.2kV) 6A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1200V (1.2kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận