IXFT13N100
IXFT13N100
Số Phần:
IXFT13N100
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12530 Pieces
Bảng dữliệu:
IXFT13N100.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXFT13N100, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXFT13N100 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXFT13N100 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-268
Loạt:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:900 mOhm @ 500mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):300W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vài cái tên khác:Q2093962
Nhiệt độ hoạt động:-
gắn Loại:Surface Mount
Số phần của nhà sản xuất:IXFT13N100
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1000V (1kV) 12.5A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1000V (1kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:12.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận