Mua IXFV18N60P với BYCHPS
Mua với đảm bảo
IXFV18N60P
- Số Phần:
- IXFV18N60P
- nhà chế tạo:
- IXYS Corporation
- Sự miêu tả:
- MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 15358 Pieces
- Bảng dữliệu:
- IXFV18N60P.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho IXFV18N60P, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXFV18N60P qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | PLUS220 |
| Loạt: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 400 mOhm @ 500mA, 10V |
| Điện cực phân tán (Max): | 360W (Tc) |
| Bao bì: | Tube |
| Gói / Case: | TO-220-3, Short Tab |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Số phần của nhà sản xuất: | IXFV18N60P |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 25V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| Loại FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Mô tả mở rộng: | N-Channel 600V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS220 |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 600V |
| Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220 |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho IXFV18N60P
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFV16N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220 | Tin nhắn của bạn |
|
IXFV18N60PS | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD | Tin nhắn của bạn |
 |
IXFV18N90PS | IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD | Tin nhắn của bạn |
|
IXFV12N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220-S | Tin nhắn của bạn |
|
IXFV110N10PS | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S | Tin nhắn của bạn |
|
IXFV14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220 | Tin nhắn của bạn |
 |
IXFV18N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220 | Tin nhắn của bạn |
 |
IXFV12N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220 | Tin nhắn của bạn |
|
IXFV16N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 16A PLUS220-S | Tin nhắn của bạn |
|
IXFV15N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220 | Tin nhắn của bạn |
|
IXFV12N90PS | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD | Tin nhắn của bạn |
|
IXFV12N120PS | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD | Tin nhắn của bạn |
|
IXFV12N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220 | Tin nhắn của bạn |
|
IXFV14N80PS | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S | Tin nhắn của bạn |
|
IXFV15N100PS | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog