IXFX30N100Q2
IXFX30N100Q2
Số Phần:
IXFX30N100Q2
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18925 Pieces
Bảng dữliệu:
IXFX30N100Q2.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXFX30N100Q2, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXFX30N100Q2 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXFX30N100Q2 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PLUS247™-3
Loạt:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:400 mOhm @ 15A, 10V
Điện cực phân tán (Max):735W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IXFX30N100Q2
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:8200pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:186nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1000V (1kV) 30A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1000V (1kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận