IXGN82N120B3H1 - IXYS - Transitor - IGBTs - Các mô-đun IXGN82N120B3H1

IXGN82N120B3H1

Số Phần:: IXGN82N120B3H1

nhà chế tạo:: IXYS Corporation

Sự miêu tả:: IGBT 1200V 145A SOT-227

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 19691 Pieces

Bảng dữliệu:: IXGN82N120B3H1.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXGN82N120B3H1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXGN82N120B3H1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua IXGN82N120B3H1 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	1200V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:	3.2V @ 15V, 82A
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SOT-227B
Loạt:	GenX3™
Power - Max:	595W
Gói / Case:	SOT-227-4, miniBLOC
Nhiệt độ hoạt động:	-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:	No
gắn Loại:	Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	IXGN82N120B3H1
Input Điện dung (Cies) @ VCE:	7.9nF @ 25V
Đầu vào:	Standard
Loại IGBT:	PT
Mô tả mở rộng:	IGBT Module PT Single 1200V 145A 595W Chassis Mount SOT-227B
Sự miêu tả:	IGBT 1200V 145A SOT-227
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	50µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	145A
Cấu hình:	Single
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho IXGN82N120B3H1

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
IXGN80N60A2	IXYS	IGBT 600V 160A SOT-227B	Tin nhắn của bạn
IXGN82N120C3H1	IXYS	IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B	Tin nhắn của bạn
APTGF25DDA120T3G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3	Tin nhắn của bạn
GA400TD25S	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK	Tin nhắn của bạn
APTGF50H60T3G	Microsemi Corporation	POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3	Tin nhắn của bạn
IXGN80N60A2D1	IXYS	IGBT 600V 160A FRD SOT-227B	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức