IXTA4N60P
IXTA4N60P
Số Phần:
IXTA4N60P
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18516 Pieces
Bảng dữliệu:
IXTA4N60P.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXTA4N60P, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXTA4N60P qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXTA4N60P với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 100µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-263 (IXTA)
Loạt:PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, VGS:2 Ohm @ 2A, 10V
Điện cực phân tán (Max):89W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IXTA4N60P
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:635pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 4A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận