IXTA6N100D2
IXTA6N100D2
Số Phần:
IXTA6N100D2
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18501 Pieces
Bảng dữliệu:
IXTA6N100D2.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXTA6N100D2, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXTA6N100D2 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXTA6N100D2 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-263 (IXTA)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.2 Ohm @ 3A, 0V
Điện cực phân tán (Max):300W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IXTA6N100D2
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2650pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:95nC @ 5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Depletion Mode
Mô tả mở rộng:N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):-
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1000V (1kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận