Mua IXTH13N110 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Tối đa): | ±20V |
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-247 (IXTH) |
Loạt: | MegaMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 920 mOhm @ 500mA, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 360W (Tc) |
Bao bì: | Tube |
Gói / Case: | TO-247-3 |
Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Through Hole |
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 8 Weeks |
Số phần của nhà sản xuất: | IXTH13N110 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 5650pF @ 25V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 195nC @ 10V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 1100V (1.1kV) 13A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 1100V (1.1kV) |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
Email: | [email protected] |