IXTH52P10P
IXTH52P10P
Số Phần:
IXTH52P10P
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 100V 52A TO-247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12354 Pieces
Bảng dữliệu:
IXTH52P10P.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXTH52P10P, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXTH52P10P qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXTH52P10P với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247 (IXTH)
Loạt:PolarP™
Rds On (Max) @ Id, VGS:50 mOhm @ 500mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):300W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IXTH52P10P
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2845pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 100V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 100V 52A TO-247
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:52A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận