IXTT2N300P3HV
IXTT2N300P3HV
Số Phần:
IXTT2N300P3HV
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chì miễn phí theo sự miễn trừ / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12480 Pieces
Bảng dữliệu:
IXTT2N300P3HV.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXTT2N300P3HV, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXTT2N300P3HV qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXTT2N300P3HV với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-268
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:21 Ohm @ 1A, 10V
Điện cực phân tán (Max):520W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 155°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IXTT2N300P3HV
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:73nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 3000V (3kV) 2A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):3000V (3kV)
Sự miêu tả:2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận