IXTU01N100
IXTU01N100
Số Phần:
IXTU01N100
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15719 Pieces
Bảng dữliệu:
IXTU01N100.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXTU01N100, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXTU01N100 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXTU01N100 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 25µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-251
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:80 Ohm @ 100mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):25W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vài cái tên khác:Q1225942
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IXTU01N100
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:54pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:6.9nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1000V (1kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:100mA (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận