IXXN110N65B4H1 - IXYS - Transitor - IGBTs - Các mô-đun IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1

Số Phần:: IXXN110N65B4H1

nhà chế tạo:: IXYS Corporation

Sự miêu tả:: IGBT 650V 215A 750W SOT227B

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 16222 Pieces

Bảng dữliệu:: IXXN110N65B4H1.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXXN110N65B4H1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXXN110N65B4H1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua IXXN110N65B4H1 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	650V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:	2.1V @ 15V, 110A
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SOT-227B
Loạt:	GenX4™, XPT™
Power - Max:	750W
Gói / Case:	SOT-227-4, miniBLOC
Nhiệt độ hoạt động:	-55°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor:	No
gắn Loại:	Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	18 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	IXXN110N65B4H1
Input Điện dung (Cies) @ VCE:	3.65nF @ 25V
Đầu vào:	Standard
Loại IGBT:	PT
Mô tả mở rộng:	IGBT Module PT Single 650V 215A 750W Chassis Mount SOT-227B
Sự miêu tả:	IGBT 650V 215A 750W SOT227B
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	50µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	215A
Cấu hình:	Single
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho IXXN110N65B4H1

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
CM100MX-12A	Powerex Inc.	CIB MOD 600V 100A NX SER	Tin nhắn của bạn
IXXN110N65C4H1	IXYS	IGBT 650V 210A 750W SOT227B	Tin nhắn của bạn
APTGT300SK60G	Microsemi Corporation	IGBT 600V 430A 1150W SP6	Tin nhắn của bạn
IXXN100N60B3H1	IXYS	IGBT 600V 100A SOT-227B	Tin nhắn của bạn
IRG7U50HF12A	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 50A POWIR 34	Tin nhắn của bạn
CPV364M4F	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức