JAN1N3671R
Số Phần:
JAN1N3671R
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
15353 Pieces
Bảng dữliệu:
JAN1N3671R.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho JAN1N3671R, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho JAN1N3671R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua JAN1N3671R với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.35V @ 38A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):800V
Gói thiết bị nhà cung cấp:DO-203AA (DO-4)
Tốc độ:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Loạt:Military, MIL-PRF-19500/260
Bao bì:Bulk
Gói / Case:DO-203AA, DO-4, Stud
Vài cái tên khác:1086-16807
1086-16807-MIL
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-65°C ~ 150°C
gắn Loại:Chassis, Stud Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:JAN1N3671R
Mô tả mở rộng:Diode Standard, Reverse Polarity 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Loại diode:Standard, Reverse Polarity
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:5µA @ 800V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):12A
Dung @ VR, F:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận