JANTXV1N5554US
Số Phần:
JANTXV1N5554US
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
14185 Pieces
Bảng dữliệu:
JANTXV1N5554US.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho JANTXV1N5554US, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho JANTXV1N5554US qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua JANTXV1N5554US với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.3V @ 9A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):1000V (1kV)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-5B
Tốc độ:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Loạt:Military, MIL-PRF-19500/420
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):2µs
Bao bì:Bulk
Gói / Case:SQ-MELF, B
Vài cái tên khác:1086-19418
1086-19418-MIL
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-65°C ~ 175°C
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:14 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:JANTXV1N5554US
Mô tả mở rộng:Diode Standard 1000V (1kV) 3A Surface Mount D-5B
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:1µA @ 1000V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):3A
Dung @ VR, F:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận