JANTXV1N5807
Số Phần:
JANTXV1N5807
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
15110 Pieces
Bảng dữliệu:
JANTXV1N5807.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho JANTXV1N5807, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho JANTXV1N5807 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua JANTXV1N5807 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:875mV @ 4A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):50V
Tốc độ:Fast Recovery = 200mA (Io)
Loạt:Military, MIL-PRF-19500/477
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):30ns
Bao bì:Bulk
Gói / Case:B, Axial
Vài cái tên khác:1086-2844
1086-2844-MIL
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-65°C ~ 175°C
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:14 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:JANTXV1N5807
Mô tả mở rộng:Diode Standard 50V 3A Through Hole
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:5µA @ 50V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):3A
Dung @ VR, F:65pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận