JANTXV1N6628US
Số Phần:
JANTXV1N6628US
nhà chế tạo:
Microsemi
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
18326 Pieces
Bảng dữliệu:
JANTXV1N6628US.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho JANTXV1N6628US, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho JANTXV1N6628US qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua JANTXV1N6628US với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.35V @ 2A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):660V
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-5B
Tốc độ:Fast Recovery = 200mA (Io)
Loạt:Military, MIL-PRF-19500/590
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):30ns
Bao bì:Bulk
Gói / Case:SQ-MELF, E
Vài cái tên khác:1086-3036
1086-3036-MIL
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-65°C ~ 150°C
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:JANTXV1N6628US
Mô tả mở rộng:Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount D-5B
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:2µA @ 660V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):1.75A
Dung @ VR, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận