MBR600200CTR
MBR600200CTR
Số Phần:
MBR600200CTR
nhà chế tạo:
GeneSiC Semiconductor
Sự miêu tả:
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18143 Pieces
Bảng dữliệu:
MBR600200CTR.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MBR600200CTR, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MBR600200CTR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MBR600200CTR với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:920mV @ 300A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):200V
Gói thiết bị nhà cung cấp:Twin Tower
Tốc độ:Fast Recovery = 200mA (Io)
Loạt:-
Bao bì:Bulk
Gói / Case:Twin Tower
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-55°C ~ 150°C
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:MBR600200CTR
Mô tả mở rộng:Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 300A Chassis Mount Twin Tower
Loại diode:Schottky
Cấu hình diode:1 Pair Common Anode
Sự miêu tả:DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:3mA @ 200V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode):300A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận