MDS1100 - Microsemi Corporation - Transistors - lưỡng cực (BJT) - RF MDS1100

MDS1100

Số Phần:: MDS1100

nhà chế tạo:: Microsemi

Sự miêu tả:: TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 18777 Pieces

Bảng dữliệu:: MDS1100.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MDS1100, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MDS1100 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua MDS1100 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	65V
Loại bóng bán dẫn:	NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:	55TU-1
Loạt:	-
Power - Max:	8750W
Bao bì:	Bulk
Gói / Case:	55TU-1
Nhiệt độ hoạt động:	200°C (TJ)
Tiếng ồn Hình (dB Typ @ f):	-
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	MDS1100
Lợi:	8.9dB
Tần số - Transition:	1.03GHz
Mô tả mở rộng:	RF Transistor NPN 65V 100A 1.03GHz 8750W Surface Mount 55TU-1
Sự miêu tả:	TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	20 @ 5A, 5V
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100A
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho MDS1100

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
NESG260234-T1-AZ	CEL	TRANS NPN 460MHZ SOT-89	Tin nhắn của bạn
MRF581	Microsemi Corporation	TRANS NPN 18V 200MA MACRO X	Tin nhắn của bạn
MS2204	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 600MW 300MA M115	Tin nhắn của bạn
MRF1000MB	M/A-Com Technology Solutions	TRANS NPN 0.7W 960MHZ-1215MHZ	Tin nhắn của bạn
NE68519-A	CEL	RF TRANSISTOR NPN SOT-523	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức