MG12100D-BA1MM
MG12100D-BA1MM
Số Phần:
MG12100D-BA1MM
nhà chế tạo:
Littelfuse
Sự miêu tả:
IGBT 1200V 160A 1000W PKG D
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14855 Pieces
Bảng dữliệu:
MG12100D-BA1MM.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MG12100D-BA1MM, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MG12100D-BA1MM qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MG12100D-BA1MM với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D3
Loạt:-
Power - Max:1000W
Gói / Case:Module
Vài cái tên khác:F6479
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:MG12100D-BA1MM
Input Điện dung (Cies) @ VCE:8.58nF @ 25V
Đầu vào:Standard
Loại IGBT:-
Mô tả mở rộng:IGBT Module Half Bridge 1200V 160A 1000W Chassis Mount D3
Sự miêu tả:IGBT 1200V 160A 1000W PKG D
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):1mA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):160A
Cấu hình:Half Bridge
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận