MJB45H11T4G
MJB45H11T4G
Số Phần:
MJB45H11T4G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18799 Pieces
Bảng dữliệu:
MJB45H11T4G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MJB45H11T4G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MJB45H11T4G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MJB45H11T4G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1V @ 400mA, 8A
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:D2PAK
Loạt:-
Power - Max:2W
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:MJB45H11T4GOSDKR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:13 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:MJB45H11T4G
Tần số - Transition:40MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Surface Mount D2PAK
Sự miêu tả:TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:40 @ 4A, 1V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):10µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):10A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận