MJD200G
MJD200G
Số Phần:
MJD200G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 25V 5A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15578 Pieces
Bảng dữliệu:
MJD200G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MJD200G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MJD200G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MJD200G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):25V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.8V @ 1A, 5A
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK-3
Loạt:-
Power - Max:1.4W
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:MJD200G-ND
MJD200GOS
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:2 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:MJD200G
Tần số - Transition:65MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 5A 65MHz 1.4W Surface Mount DPAK-3
Sự miêu tả:TRANS NPN 25V 5A DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:45 @ 2A, 1V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):5A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận