MJD6039T4G
MJD6039T4G
Số Phần:
MJD6039T4G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18590 Pieces
Bảng dữliệu:
MJD6039T4G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MJD6039T4G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MJD6039T4G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MJD6039T4G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:2.5V @ 8mA, 2A
Loại bóng bán dẫn:NPN - Darlington
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK-3
Loạt:-
Power - Max:1.75W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:MJD6039T4G-ND
MJD6039T4GOSTR
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:2 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:MJD6039T4G
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 1.75W Surface Mount DPAK-3
Sự miêu tả:TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:500 @ 2A, 4V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):10µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):4A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận