MJE170G
MJE170G
Số Phần:
MJE170G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 40V 3A TO225AA
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18283 Pieces
Bảng dữliệu:
MJE170G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MJE170G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MJE170G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MJE170G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):40V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.7V @ 600mA, 3A
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-225AA
Loạt:-
Power - Max:1.5W
Bao bì:Bulk
Gói / Case:TO-225AA, TO-126-3
Vài cái tên khác:MJE170GOS
Nhiệt độ hoạt động:-65°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:2 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:MJE170G
Tần số - Transition:50MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 3A 50MHz 1.5W Through Hole TO-225AA
Sự miêu tả:TRANS PNP 40V 3A TO225AA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:50 @ 100mA, 1V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):3A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận