MKI80-06T6K - IXYS - Transitor - IGBTs - Các mô-đun MKI80-06T6K

MKI80-06T6K

Số Phần:: MKI80-06T6K

nhà chế tạo:: IXYS Corporation

Sự miêu tả:: MOD IGBT H-BRIDGE 600V 89A E1

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 12803 Pieces

Bảng dữliệu:: MKI80-06T6K.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MKI80-06T6K, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MKI80-06T6K qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua MKI80-06T6K với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	600V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:	2.3V @ 15V, 75A
Gói thiết bị nhà cung cấp:	E1
Loạt:	-
Power - Max:	210W
Gói / Case:	E1
Nhiệt độ hoạt động:	-40°C ~ 125°C (TJ)
NTC Thermistor:	Yes
gắn Loại:	Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	MKI80-06T6K
Input Điện dung (Cies) @ VCE:	4.62nF @ 25V
Đầu vào:	Standard
Loại IGBT:	Trench
Mô tả mở rộng:	IGBT Module Trench Full Bridge Inverter 600V 89A 210W Chassis Mount E1
Sự miêu tả:	MOD IGBT H-BRIDGE 600V 89A E1
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	500µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	89A
Cấu hình:	Full Bridge Inverter
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho MKI80-06T6K

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
MWI150-06A8	IXYS	TRANS 16BIY 3-PH 600V 115AMP	Tin nhắn của bạn
VS-GB200TH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK	Tin nhắn của bạn
APTGF25X120T3G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3	Tin nhắn của bạn
MG12400D-BN2MM	Littelfuse Inc.	IGBT 1200V 580A 1925W PKG D	Tin nhắn của bạn
MUBW10-06A6K	IXYS	MODULE IGBT CBI E1	Tin nhắn của bạn
CM100DY-24A	Powerex Inc.	IGBT MOD DUAL 1200V 100A A SER	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức