MMBT2222LT1
MMBT2222LT1
Số Phần:
MMBT2222LT1
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 30V 0.6A SOT23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
13678 Pieces
Bảng dữliệu:
MMBT2222LT1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MMBT2222LT1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MMBT2222LT1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MMBT2222LT1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):30V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3 (TO-236)
Loạt:-
Power - Max:300mW
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:MMBT2222LT1OSCT
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:MMBT2222LT1
Tần số - Transition:250MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 600mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Sự miêu tả:TRANS NPN 30V 0.6A SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 150mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):10nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):600mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận