MMBT5401WT1G
MMBT5401WT1G
Số Phần:
MMBT5401WT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 150V 0.5A SOT23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13114 Pieces
Bảng dữliệu:
MMBT5401WT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MMBT5401WT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MMBT5401WT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MMBT5401WT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):150V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-70-3 (SOT323)
Loạt:-
Power - Max:400mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-70, SOT-323
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:2 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:MMBT5401WT1G
Tần số - Transition:300MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 500mA 300MHz 400mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Sự miêu tả:TRANS PNP 150V 0.5A SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:60 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):50nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận