MMBT6427LT1
MMBT6427LT1
Số Phần:
MMBT6427LT1
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
19471 Pieces
Bảng dữliệu:
MMBT6427LT1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MMBT6427LT1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MMBT6427LT1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MMBT6427LT1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):40V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 500µA, 500mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Darlington
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3 (TO-236)
Loạt:-
Power - Max:225mW
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:MMBT6427LT1OSCT
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:MMBT6427LT1
Tần số - Transition:-
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 500mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Sự miêu tả:TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:20000 @ 100mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):1µA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận