MMBT6517LT3
MMBT6517LT3
Số Phần:
MMBT6517LT3
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
17667 Pieces
Bảng dữliệu:
MMBT6517LT3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MMBT6517LT3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MMBT6517LT3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MMBT6517LT3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):350V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:1V @ 5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3 (TO-236)
Loạt:-
Power - Max:225mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:MMBT6517LT3
Tần số - Transition:200MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Sự miêu tả:TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:20 @ 50mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):50nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận