MMBTA06LT1G
MMBTA06LT1G
Số Phần:
MMBTA06LT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17262 Pieces
Bảng dữliệu:
MMBTA06LT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MMBTA06LT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MMBTA06LT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MMBTA06LT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3 (TO-236)
Loạt:-
Power - Max:225mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:MMBTA06LT1GOS
MMBTA06LT1GOS-ND
MMBTA06LT1GOSTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:MMBTA06LT1G
Tần số - Transition:100MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Sự miêu tả:TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 100mA, 1V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:sales@bychips.com

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận
Loading...