MMBTA56LT1G
MMBTA56LT1G
Số Phần:
MMBTA56LT1G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18551 Pieces
Bảng dữliệu:
MMBTA56LT1G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MMBTA56LT1G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MMBTA56LT1G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MMBTA56LT1G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):80V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-23-3 (TO-236)
Loạt:-
Power - Max:225mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:MMBTA56LT1GOS
MMBTA56LT1GOS-ND
MMBTA56LT1GOSTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:MMBTA56LT1G
Tần số - Transition:50MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 500mA 50MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Sự miêu tả:TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 100mA, 1V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận