Mua MSRTA200160(A)D với BYCHPS
Mua với đảm bảo
MSRTA200160(A)D
- Số Phần:
- MSRTA200160(A)D
- nhà chế tạo:
- GeneSiC Semiconductor
- Sự miêu tả:
- DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 16928 Pieces
- Bảng dữliệu:
- MSRTA200160(A)D.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho MSRTA200160(A)D, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MSRTA200160(A)D qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu: | 1.1V @ 200A |
|---|---|
| Voltage - DC Xếp (VR) (Max): | 1600V (1.6kV) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | Three Tower |
| Tốc độ: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Loạt: | - |
| Bao bì: | Bulk |
| Gói / Case: | Three Tower |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| gắn Loại: | Chassis Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 10 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | MSRTA200160(A)D |
| Mô tả mở rộng: | Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1600V (1.6kV) 200A Chassis Mount Three Tower |
| Loại diode: | Standard |
| Cấu hình diode: | 1 Pair Series Connection |
| Sự miêu tả: | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER |
| Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR: | 10µA @ 1600V |
| Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode): | 200A |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho MSRTA200160(A)D
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
MSRTA200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | Tin nhắn của bạn |
|
MSRTA600140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER | Tin nhắn của bạn |
|
MSRTA200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | Tin nhắn của bạn |
|
MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER | Tin nhắn của bạn |
|
MSRTA200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | Tin nhắn của bạn |
|
MSRTA20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | Tin nhắn của bạn |
|
MSRTA20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog