MT3S16U(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transistors - lưỡng cực (BJT) - RF MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Số Phần:: MT3S16U(TE85L,F)

nhà chế tạo:: Toshiba Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 12756 Pieces

Bảng dữliệu:: MT3S16U(TE85L,F).pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MT3S16U(TE85L,F), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MT3S16U(TE85L,F) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua MT3S16U(TE85L,F) với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	5V
Loại bóng bán dẫn:	NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:	USM
Loạt:	-
Power - Max:	100mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	SC-70, SOT-323
Vài cái tên khác:	MT3S16U(TE85LF)TR
Nhiệt độ hoạt động:	125°C (TJ)
Tiếng ồn Hình (dB Typ @ f):	2.4dB @ 1GHz
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	MT3S16U(TE85L,F)
Lợi:	4.5dBi
Tần số - Transition:	4GHz
Mô tả mở rộng:	RF Transistor NPN 5V 60mA 4GHz 100mW Surface Mount USM
Sự miêu tả:	TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	80 @ 5mA, 1V
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	60mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho MT3S16U(TE85L,F)

hình ảnh	Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
	UPA895TS-T3-A	CEL	TRANSISTOR NPN DUAL 6-SMINI	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức