MURTA600120R
MURTA600120R
Số Phần:
MURTA600120R
nhà chế tạo:
GeneSiC Semiconductor
Sự miêu tả:
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14382 Pieces
Bảng dữliệu:
MURTA600120R.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho MURTA600120R, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho MURTA600120R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua MURTA600120R với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:2.6V @ 300A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):1200V (1.2kV)
Gói thiết bị nhà cung cấp:Three Tower
Tốc độ:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Loạt:-
Bao bì:Bulk
Gói / Case:Three Tower
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-55°C ~ 150°C
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:MURTA600120R
Mô tả mở rộng:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V (1.2kV) 300A Chassis Mount Three Tower
Loại diode:Standard
Cấu hình diode:1 Pair Common Anode
Sự miêu tả:DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:25µA @ 1200V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode):300A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận