NDDL01N60ZT4G
NDDL01N60ZT4G
Số Phần:
NDDL01N60ZT4G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15601 Pieces
Bảng dữliệu:
NDDL01N60ZT4G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NDDL01N60ZT4G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NDDL01N60ZT4G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NDDL01N60ZT4G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DPAK
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:15 Ohm @ 400mA, 10V
Điện cực phân tán (Max):26W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):3 (168 Hours)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:4 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NDDL01N60ZT4G
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:92pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:4.9nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 800mA (Ta) 26W (Tc) Surface Mount DPAK
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:800mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận