NDF04N60ZH
NDF04N60ZH
Số Phần:
NDF04N60ZH
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17699 Pieces
Bảng dữliệu:
NDF04N60ZH.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NDF04N60ZH, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NDF04N60ZH qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua NDF04N60ZH với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220FP
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:2 Ohm @ 2A, 10V
Điện cực phân tán (Max):30W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack
Vài cái tên khác:NDF04N60ZH-ND
NDF04N60ZHOS
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:19 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:NDF04N60ZH
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:640pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 4.8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4.8A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận