Mua NE3503M04-A với BYCHPS
Mua với đảm bảo
NE3503M04-A
- Số Phần:
- NE3503M04-A
- nhà chế tạo:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Sự miêu tả:
- FET RF 4V 12GHZ M04
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 14140 Pieces
- Bảng dữliệu:
- 1.NE3503M04-A.pdf2.NE3503M04-A.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho NE3503M04-A, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NE3503M04-A qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Điện áp - Kiểm tra: | 2V |
|---|---|
| Voltage - Xếp hạng: | 4V |
| Loại bóng bán dẫn: | HFET |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | M04 |
| Loạt: | - |
| Power - Output: | - |
| Bao bì: | Bulk |
| Gói / Case: | SOT-343F |
| Vài cái tên khác: | NE3503M04A |
| tiếng ồn Hình: | 0.45dB |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Số phần của nhà sản xuất: | NE3503M04-A |
| Lợi: | 12dB |
| Tần số: | 12GHz |
| Mô tả mở rộng: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04 |
| Sự miêu tả: | FET RF 4V 12GHZ M04 |
| Đánh giá hiện tại: | 70mA |
| Hiện tại - Kiểm tra: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho NE3503M04-A
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3509M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | Tin nhắn của bạn |
 |
NE3503M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | Tin nhắn của bạn |
 |
BF1211R,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R | Tin nhắn của bạn |
|
NE3503M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | Tin nhắn của bạn |
 |
BLF8G22LS-270GVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C | Tin nhắn của bạn |
 |
ATF-33143-TR1G | Broadcom Limited | FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 | Tin nhắn của bạn |
|
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | Tin nhắn của bạn |
|
NE3508M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | Tin nhắn của bạn |
|
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | Tin nhắn của bạn |
|
BF2030WE6814BTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-343 | Tin nhắn của bạn |
 |
MRF7S19080HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S | Tin nhắn của bạn |
 |
MMRF1312GSR5 | NXP USA Inc. | TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V | Tin nhắn của bạn |
|
NE3508M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | Tin nhắn của bạn |
|
BLF8G27LS-150GVQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog