NE4210S01 - CEL - Transistors - FETs, MOSFETs - RF NE4210S01

NE4210S01

Số Phần:: NE4210S01

nhà chế tạo:: CEL (California Eastern Laboratories)

Sự miêu tả:: HJ-FET 13DB S01

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 18086 Pieces

Bảng dữliệu:: NE4210S01.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NE4210S01, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NE4210S01 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua NE4210S01 với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Điện áp - Kiểm tra:	2V
Voltage - Xếp hạng:	4V
Loại bóng bán dẫn:	HFET
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SMD
Loạt:	-
Power - Output:	-
Bao bì:	Cut Strip
Gói / Case:	4-SMD
tiếng ồn Hình:	0.5dB
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	NE4210S01
Lợi:	13dB
Tần số:	12GHz
Mô tả mở rộng:	RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD
Sự miêu tả:	HJ-FET 13DB S01
Đánh giá hiện tại:	15mA
Hiện tại - Kiểm tra:	10mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho NE4210S01

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
BLF278/01,112	Ampleon USA Inc.	RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1	Tin nhắn của bạn
MRF7S38010HR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 3.6GHZ NI-400	Tin nhắn của bạn
NE4210S01-T1B	CEL	HJ-FET 13DB S01	Tin nhắn của bạn
BLF2425M8L140J	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A	Tin nhắn của bạn
NE5550234-AZ	CEL	FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD	Tin nhắn của bạn
BLF8G20LS-220J	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B	Tin nhắn của bạn
MRF8VP13350GNR3	NXP USA Inc.	TRANS RF LDMOS 350W 50V	Tin nhắn của bạn
MRF9045NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 945MHZ TO272-2	Tin nhắn của bạn
BLS7G2730L-200PU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A	Tin nhắn của bạn
BLC8G27LS-210PVZ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức