NE5511279A-T1-A - CEL - Transistors - FETs, MOSFETs - RF NE5511279A-T1-A

NE5511279A-T1-A

Số Phần:: NE5511279A-T1-A

nhà chế tạo:: CEL (California Eastern Laboratories)

Sự miêu tả:: FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 13030 Pieces

Bảng dữliệu:: NE5511279A-T1-A.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho NE5511279A-T1-A, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho NE5511279A-T1-A qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua NE5511279A-T1-A với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Điện áp - Kiểm tra:	7.5V
Voltage - Xếp hạng:	20V
Loại bóng bán dẫn:	LDMOS
Gói thiết bị nhà cung cấp:	79A
Loạt:	-
Power - Output:	40dBm
Bao bì:	Original-Reel®
Gói / Case:	4-SMD, Flat Leads
Vài cái tên khác:	NE5511279A-T1-ADKR
tiếng ồn Hình:	-
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	NE5511279A-T1-A
Lợi:	15dB
Tần số:	900MHz
Mô tả mở rộng:	RF Mosfet LDMOS 7.5V 400mA 900MHz 15dB 40dBm 79A
Sự miêu tả:	FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG
Đánh giá hiện tại:	3A
Hiện tại - Kiểm tra:	400mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho NE5511279A-T1-A

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
2N5246_D74Z	Fairchild/ON Semiconductor	JFET N-CH 30V 7MA TO92	Tin nhắn của bạn
MRF5S19130HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-880S	Tin nhắn của bạn
PTF080101S V1	Infineon Technologies	FET RF 65V 960MHZ H-32259-2	Tin nhắn của bạn
BLF9G20LS-160VU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B	Tin nhắn của bạn
BF909A,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH SOT-143B	Tin nhắn của bạn
PTFA190451EV4R250XTMA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2	Tin nhắn của bạn
BLP8G21S-160PVY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức